明電舎は、IGBT方式を採用した新型高周波電源を発売。誘導加熱の原理を利用して発熱する高周波溶接機の電源部で、従来のMOSFET機と比較してインバーターユニットの部品点数を67%削減している。
明電舎は2018年2月7日、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)方式を採用した新型高周波電源を発売した。誘導加熱の原理を利用して発熱する高周波溶接機の電源部で、従来のMOSFET機に比べてインバーターユニットの部品点数を67%削減している。
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定期交換部品を83%削減した他、ユニット交換時の取り外し箇所は従来の25カ所から16カ所に削減した。ほとんどの部品の期待寿命を15年で設計しており、故障率を低減してメンテナンス性を高めた。
また、タッチパネル上に表示される故障復旧ガイダンス機能により、故障発生時に迅速に復旧できる。
同社従来製品の更新需要に加え、海外では新興国を中心に増設が進む自動車製造工場への導入、パイプライン向けの電縫管の更新需要の増加を見込んでいる。
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