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» 2016年05月16日 10時00分 UPDATE

三菱電機 IPM G1:第7世代IGBT搭載のパワー半導体モジュール

三菱電機は、第7世代IGBTを搭載したパワー半導体モジュール「IPM G1」シリーズのサンプル提供を開始した。

[提供:EDN Japan編集部,TechFactory]

 三菱電機は2016年4月、第7世代IGBTを搭載したパワー半導体モジュール「IPM G1」シリーズのサンプル提供を開始した。汎用インバーター/サーボアンプ/エレベーターなどの産業用機器の低消費電力化/小型化に対応するという。

 IPM G1シリーズは、IGBTにキャリア蓄積効果を利用した独自のCSTBT構造を採用し、電力損失とノイズを低減している。裏面拡散層形成技術を用いたRFCダイオードの採用により、リカバリー時の急な電圧の立ち上がりを抑制できる。

 また、過熱/制御電源電圧低下/短絡を識別できるエラーモード(Fo)識別機能を搭載し、エラー発生時の解析を容易にした。使用条件に応じてスイッチング速度を自動的に2段階で切り替える機能も搭載。スイッチング損失とノイズのトレードオフを改善し、インバーターの開発負荷軽減に寄与するとしている。

パワー半導体モジュール「IPM G1」シリーズのAタイプ パワー半導体モジュール「IPM G1」シリーズのAタイプ

 パッケージは、50×90mmのAタイプ、55×120mmのBタイプ、85×120mmのCタイプの3種である。主端子の配列/形状は、ストレート配列/はんだピン、ストレート配列/ねじ、L型配列/はんだピン、L型配列/ねじなどをそろえた。


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