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» 2016年10月31日 12時00分 UPDATE

NXP Airfast 3 RFパワートランジスタ:マクロ基地局向け高出力LDMOSパワートランジスタ

NXPセミコンダクターズは、1805M〜2690MHzで動作する携帯電話のマクロ基地局向けのLDMOSトランジスタ「Airfast 3 RFパワートランジスタ」を発表した。最大53%の効率を達成している。

[提供:EDN Japan編集部,TechFactory]

最大53%の効率

「Airfast 3 RFパワートランジスタ」 「Airfast 3 RFパワートランジスタ」

 NXPセミコンダクターズは2016年10月、1805M〜2690MHzで動作する、携帯電話のマクロ基地局向けのLDMOSトランジスタ「Airfast 3 RFパワートランジスタ」4製品を発表した。従来製品の「Airfast 2」と比較し、効率が最大4%、熱特性が20%向上したほか、スペースを最大30%削減し、最大90MHzのフル信号帯域を提供する。

 第3世代のAirfast製品として開発され、周波数範囲1805M〜1880MHzの「A3T18H450W23S」「A3T18H360W23S」、2110M〜2200MHzの「A3T21H450W23S」、2496M〜2690MHzの「A3T26H200W24S」の4製品を展開。平均RF出力/ゲイン/効率はそれぞれ、A3T18H450W23Sが89W/17.2dB/51%、A3T18H360W23Sが56W/17.5dB/53%、A3T21H450W23Sが89W/15.5dB/49.5%、A3T26H200W24Sが37W/16.3dB/50%となっている。

 現在サンプルを供給中で、量産開始は2016年第4四半期の予定。パッケージはACP-1230S-4L2S(A3T26H200W2は、NI-880XS-4L2L)で提供される。また、各周波数向けのレファレンス回路も提供しているという。


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