SiTimeは、電磁干渉(EMI)のコンプライアンステストを容易に行える、スプレッドスペクトラム拡散発振器「SiT9005」を発表した。1M〜141MHzの周波数に対応し、キャリア周波数で最大17dB、高調波で最大30dBのEMIを削減できる。
アバールデータは、計測装置や医療装置向けに、PCI Express3.0対応のA-D変換ボード「APX-5360G3」を発売した。2チャンネル同時の12ビット分解能と1.8Gサンプル/秒の高速サンプリングを可能にした。
新日本無線が高音質重視のオーディオ用1回路入りオペアンプ「MUSES03」を販売開始した。2チップ構成など音質劣化を防ぐ工夫を施している。
新日本無線は、1.5MHz〜15MHzのIF信号を自動的にFM復調するIC「NJW2311」を発表した。新しい回路方式の採用により、従来必要だった外付け移相器を不要としている。
インターシルは4Mビット/秒の双方向データ伝送を可能にした絶縁型RS-485差動バス・トランシーバー「ISL32704E」を発表した。産業用IoTネットワーク向けの特長をそろえる。
IDTは、LVDSデュアルチャンネルファンアウトバッファ「8P34Sバッファファミリー」の4製品を発表した。1.8V製品は、高周波クロックとデータ信号の同時ファンアウトを可能にした。
インフィニオンテクノロジーズは、超低オン抵抗のハイサイドスイッチ「Power PROFET」ファミリーを発表した。リレーとヒューズを40Aまでの範囲で置き換えることができる。
IDTは、コンスタントインピーダンス技術を搭載した広帯域SPST(単極単投)吸収型RFスイッチ「F2910」を発表した。線形性に優れ、挿入損失が低く、多様な無線およびRF用途に向く。
NXPセミコンダクターズは、1805M〜2690MHzで動作する携帯電話のマクロ基地局向けのLDMOSトランジスタ「Airfast 3 RFパワートランジスタ」を発表した。最大53%の効率を達成している。
STマイクロエレクトロニクスは、最高動作温度150℃まで対応した、表面実装型800V耐圧サイリスタを発表した。接合部、ケース間の熱抵抗は0.25℃/Wで、優れた熱放射特性を備えている。
アナログ・デバイセズは2016年9月、RFとマイクロ波用の高性能標準モジュール「HMC-C582」「HMC-C583」「HMC-C584」「HMC7891」を発表した。全ての機能が統合された密閉式モジュールで、製品を設計する際の試作・実験プロセスを短縮するという。
パナソニック オートモーティブ&インダストリアルシステムズ社は、転送レート50Mビット/秒のフォトカプラ「PhotoICカプラ」を発表した。
リニアテクノロジーは、動作周波数範囲300MHz〜6GHzのダイレクトコンバージョンI/Q復調器「LTC5586」を発売した。
NXPセミコンダクターズは、携帯電話基地局で使用されるドハティパワーアンプ向けに、48V窒化ガリウム(GaN)RFパワートランジスタを発表した。
IDTは、水晶振動子や水晶発振器などのタイミングデバイスを不要にする、プログラマブルクロックジェネレーター「VersaClock 3S 5P35023/5P35021」を発表した。
アナログ・デバイセズは、最大出力44Wの単極双投(SPDT)シリコンスイッチ「ADRF5130」を発表した。
IDTは周波数帯域400〜3800MHzのRFミキサーファミリー「VersaMixer」を発表した。ラインアップは、デュアルチャネルの「F1192」とシングルチャネルの「F1792」の2種。
日本テキサス・インスツルメンツは、電圧制御発振器(VCO)を内蔵したPhase Locked Loop(PLL)「LMX2582」「LMX2592」を発表した。
Maxim Integrated Productsは、IO-Linkデュアルチャネルトランシーバー「MAX14827」を発表した。
アナログ・デバイセズは、VCO(電圧制御発振器)内蔵PLLシンセサイザー「ADF4355」を発表。携帯電話基地局に組み込むことで、ワイヤレスサービスプロバイダーは通話のスループットを高め、携帯電話の通話エリアを拡大できるという。
旭化成エレクトロニクスは、ポータブル機器向けヘッドフォンアンプ内蔵小型DAC「AK4376」の販売を開始。THD+Nは−100dB以下で、原音の再現性を向上させた。
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