製品ニュース（メモリ）

富士通セミコンダクターは、125℃の高温環境下でも動作する128KビットFRAM「MB85RS128TY」と256KビットFRAM「MB85RS256TY」を開発した。従来のFRAM製品に比べ、温度上限を40℃拡大している。

サイプレスセミコンダクタと中国のShanghai Huali Microelectronics Corporationは、SONOS型フラッシュメモリIPと55nm低消費電力（LP）プロセス技術を活用した、低消費電力の組み込みフラッシュメモリ内蔵LSIの初期生産を開始した。

SDアソシエーション（SDA）は、SDメモリーカードの新たな規格として、ランダムの読み止し／書き込み速度を向上させたSD Ver 6.0仕様のアプリケーションパフォーマンスクラス2（A2）規格と低信号電圧（LVS）仕様を追加した。

東芝は2017年2月22日、64層積層プロセスを用いた512Gビット（Gb）の3D NANDフラッシュメモリ「BiCS FLASH」のサンプル出荷を2017年2月上旬に開始したことを発表した。

富士通セミコンダクターは、メモリ容量4MビットのReRAMの提供を開始した。SPIインタフェースで最大5MHz動作を可能とし、5MHz動作時の読み出し動作電流は0.2mAとなっている。

ウエスタンデジタルは、NVMe規格に対応するPCIe接続SSDを発表した。PCIe Gen3 ×4 NVMeをベースとし、従来のSATA SSDの3倍以上となるシーケンシャル読み取り速度を可能にした。

サイプレス セミコンダクタは、3V版512Mビット「HyperFlash」メモリと64Mビット「HyperRAM」メモリを搭載した、8×6mmのマルチチップパッケージソリューションを発表した。

マイクロチップ・テクノロジーは、無限の書き込み耐性を搭載したメモリソリューションを発表した。電源喪失時にも、外付けバッテリーなしで安全にデータを保持するという。

富士通セミコンダクターは、54Mバイト／秒のデータ転送が可能な4Mビット クアッドSPI FRAM「MB85RQ4ML」を開発し、サンプル提供を開始した。

STマイクロエレクトロニクスは、シリアルEEPROMの「M24」ファミリーに新製品4種を追加。業界標準パッケージの4ボールWLCSPと完全な互換性を備えている。