　富士通セミコンダクターは2016年10月、メモリ容量4MビットのReRAM（Resistive Random Access Memory：抵抗変化型メモリ）「MB85AS4MT」の提供を開始した。ReRAMの量産製品としては世界最大容量で、1.65～3.6Vの幅広い電源電圧で動作する。パナソニックセミコンダクターソリューションズと共同開発した。

◎おすすめホワイトペーパー

エレクトロニクス

» PS4の中身から、半導体の未来を占う　

» 次世代パワー半導体におけるシミュレーターの重要性　

» USB 3.1/Type-C 機器開発で設計者が知っておくべきこと　

» 高性能コンピューティングのための理想的なインターコネクト

⇒⇒「新着ホワイトペーパー」をチェックする

「MB85AS4MT」のイメージ

　MB85AS4MTは、SPIインタフェースで最大5MHz動作を可能とし、5MHz動作時の読み出し動作電流は0.2mAとなっている。書き込み動作電流は1.3mA、スタンバイ電流は10μA、スリープ電流は2μAで、低消費電力に対応した。

　パッケージは、他の不揮発性メモリ製品とピン互換性を備えた209mil 8ピンSOPで提供。小型ながら、シリアルインタフェースEEPROMを超える4Mビットのメモリ容量を搭載した。書き込み保証回数は120万回で、読み出し保証回数は無限回となっている。

　また、大容量で低消費電力の特長を備えたことで、バッテリー駆動のウェアラブル端末や補聴器などの医療機器、計測機器などのIoTデバイスに適用できるとしている。

HyperFlashとHyperRAM搭載のMCP、車載やIoT向け
サイプレスセミコンダクタは、3V版512Mビット「HyperFlash」メモリと64Mビット「HyperRAM」メモリを搭載した、8×6mmのマルチチップパッケージソリューションを発表した。
無限の書き込み耐性を搭載したEERAMメモリ
マイクロチップ・テクノロジーは、無限の書き込み耐性を搭載したメモリソリューションを発表した。電源喪失時にも、外付けバッテリーなしで安全にデータを保持するという。
従来比4倍の速度でデータのリード／ライトができるクアッドSPI FRAM
富士通セミコンダクターは、54Mバイト／秒のデータ転送が可能な4MビットクアッドSPI FRAM「MB85RQ4ML」を開発し、サンプル提供を開始した。
4ボールWLCSPと互換性を備えたシリアルEEPROM「M24」ファミリー
STマイクロエレクトロニクスは、シリアルEEPROMの「M24」ファミリーに新製品4種を追加。業界標準パッケージの4ボールWLCSPと完全な互換性を備えている。