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» 2018年09月18日 09時00分 公開

AMD復活の立役者がラティス新CEOに、問われるその手腕大原雄介のエレ・組み込みプレイバック(2/2 ページ)

[大原 雄介,ITmedia]
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“厳しい”状況にある組み込みフラッシュ

 EE Times Japanの連載「福田昭のストレージ通信」を楽しみにしている方も多いと思われるので、そうした方であれば、昨今の組み込みフラッシュがいろいろな意味で“厳しい状況”にあることは分かるはずだ。

 組み込みフラッシュは汎用品であってもセキュリティスタックやネットワークスタックなどのニーズによって容量増が求められつつあり、その一方で、低価格化や高性能化のためにプロセスそのものは微細化の方向に向かっている。

 ところが微細化すればするほど、フラッシュは構築しにくくなる(特に信頼性の確保が難しい)。その結果、Cortex-M7クラスの高性能MCUでは内蔵を諦めて外付けのSPI NORフラッシュをSIPの形で搭載するケースが増えつつある。ただし、この実装はコスト高を招くので、可能であればシングルダイ構成が望ましい。

 そこで注目されているのが、GlobalFoundriesとSamsung Foundryの推進するボディーとシリコン基板を分離する「FD-SOI」(完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター)である。

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