　FLOSFIAは京都大学発のベンチャー企業である。2015年に「世界最小」（同社）とするオン抵抗0.1mΩcm²のSBD（ショットキーバリアダイオード）試作データを発表し、2016年に新規p型半導体α-Ir₂O₃、2017年9月にDC-DCコンバーターでの動作実証に成功するなど、α-Ga₂O₃パワー半導体の開発を精力的に進めてきた。2017年10月の「CEATEC JAPAN 2017」では、2018年に量産を開始する予定のα-Ga₂O₃のSBDを展示した。

　一方のデンソーは2007年からハイブリッド車（HEV）や電気自動車（EV）向けに、「パワーコントロールユニット（PCU）」を提供している。PCUにおいてエネルギー効率を高めるためには、電流を直流から交流に変換する際のエネルギー損失を抑える必要がある。そのため、デンソーは以前から低損失パワー半導体の研究開発に取り組んできた。

　FLOSFIAとデンソーは、「α-Ga₂O₃の車載応用に向けた共同開発を通じ、自動車の電動化におけるキーユニットであるPCUの技術革新を目指す」とコメントしている。

　さらに、FLOSFIAは2018年1月4日、第三者割当増資を実施し、総額約8億円のシリーズCラウンドの資金調達を完了したことも併せて発表した。資金調達引受先はデンソーの他、三菱重工業、Mitsui Kinzoku-SBI Material Innovation Fund（三井金属鉱業とSBIインベストメントによるプライベートファンド）、未来創生ファンド、Eight Roads Ventures Japanである。

東芝とWDが和解、協業強化へ
東芝とWestern Digital（ウエスタンデジタル／以下、WD）は2017年12月13日、NAND型フラッシュメモリ事業を手掛ける東芝の子会社東芝メモリの売却を巡る係争に関して和解に至り、両社の協業を強化していくことで合意したと発表した。
「AIチップの単純な機能競争に意味は薄い」、クアルコム幹部が語る
NXPの買収を進めるクアルコムの幹部が来日、同社の事業戦略を語った。半導体企業の新要素として期待されるAIについては「電力もしくは価格当たりの効率性能が大きな意味を持つ」と、モバイルで鍛えられた企業ならではの見解を示した。
半導体製造装置出荷額、2017年Q3は「過去最高」を記録
SEMIが2017年第3四半期の世界半導体製造装置出荷額を発表した。出荷額は143億米ドルに達し過去最高額を更新した。
産業用IoT向けのダイナミックNFCタグIC
amsが産業用IoT向けのダイナミックNFCタグIC「AS3956」を発表した。NFCフォーラム仕様に準拠したNDEFメッセージングプロトコルをサポートし、NFC対応携帯電話との相互運用性を備えている。
48Gbpsの広帯域に対応するHDMI最新規格、CTSは2018年第一四半期から順次配布
HDMIフォーラムはHDMI（High-Definition Multimedia Interface）の最新規格である「2.1」を発表した。最高で48Gbpsの帯域幅に対応しており、コンプライアンステスト仕様書（CTS）は2018年第1四半期～第3四半期にかけて段階的に提供される。