ディスコは、従来にないレーザー加工によるインゴットスライス手法「KABRA(Key Amorphous-Black Repetitive Absorption)」プロセスを開発した。
ディスコは2016年8月8日、従来にないレーザー加工によるインゴットスライス手法「KABRA(Key Amorphous-Black Repetitive Absorption)」プロセスを開発したことを発表した。同プロセスを導入することで、次世代パワーデバイス素材として注目される炭化ケイ素(SiC)ウェーハ生産の高速化および取り枚数増を実現し、生産性を大幅に向上させることが可能になるという。
半導体フォトマスクの世界市場規模、2017年に34億ドル
2015年の世界半導体材料販売額は434億ドルで、前年比マイナス成長
2015年、半導体製造装置の世界総販売額は前年比3%減の365億3000万ドルに
パワー半導体市場の将来予測、2025年は300億ドル超Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
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