BroadcomはトランシーバーにCPOを適用

　同様にCPOの説明を行ったのがBroadcomであるが、同社は、最初に適用するのはトランシーバーモジュール向けであるとする（図4）。ただしその先ではNetwork Switch向け、さらにその先に初めてComputeへの統合が行われる、とする（図5）

図4：ここで言うIII-V族というのはGaAsベースでそこにInPやらSbやらを組み合わせたVCSEL構造のレーザーソースの意味と思われる［クリックで拡大］ 出所：Broadcom

図5：問題は、これまでだとTransceiver Moduleの種類を入れ替えることで異なる規格に簡単に対応できたのが、今後はCPOの側でそうしたさまざまな種類に対応しないといけなくなることである。まさかフロントパネルの側でもう一度電気信号に戻す、というわけにもいかない。Laser Moduleが別に用意されているのは、CPOの中にはLaser Sourceは含まれておらずModulatorのみになっており、Laser Sourceを変更する事で複数の規格に対応できる様にするためと思われる［クリックで拡大］ 出所：Broadcom

　Network Switchは従来だとSwitch ASICからフロントパネルまで電気配線を伸ばし、その先にTransceiver Moduleを装着する形になっているが、Networkの速度が上がると、このASICとフロントパネルの間の電気配線が大問題になってきていた。そこでSwitch ASICのすぐ脇にCPOを配置する事で配線長を短くすれば、信号速度が上がってもなんとかなる。そこから先は光ファイバーを伸ばしてフロントパネルに接続する形だ（図6）。こうすることで、帯域向上とかポート数増加に伴う電気配線の問題を解決するという話であり、実際に講演の中ではこの考え方に基づいて開発されたTH4-HumboldtとかTH5-Baillyの内部構造などの紹介も行われている。

図6：このCable Assembly1つで16レーン分をカバーできるとある。このASICにはCPOを16個搭載する（それぞれのCPOにこのCable Assemblyが接続される）ので、合計で256レーンまで対応できる形だ［クリックで拡大］ 出所：Broadcom

　その先に来るのが、Compute ModuleへのCPOの搭載である。要するにIntelと同様にCompute Module同士の接続に利用するためのものだ（図7）。この場合CPOそのものはSilicon SubstrateではなくPackage Substrateに配され、その近くにASICの延長にあるSerDes Dieが載る形になっているのが面白い。もっともEthernetでの接続であれば、現在でも普通のパッケージで通せるので、無理にSilicon Substrateを通す必要は無いと判断したのかもしれない（あと、むやみやたらにダイをSilicon Substrateに載せるとSilicon Substrateの製造コストも実装コストも上がるので、できるだけ最小限にするのは鉄則である）

図7：Ethernetを直接出す、というのはAI Processorなどでは良くある構図であり、これを狙ったものと思われる［クリックで拡大］ 出所：Broadcom