大原雄介のエレ・組み込みプレイバック
Samsungが3nm世代で採用した「GAA」とは(4/5 ページ)
これ続いてGAAというかナノシートへの移行を発表したのがIntelだ。2021年7月に開催されたIntel Acceleratedというオンラインイベントで、同社はIntel 20Aと呼ばれる新しいプロセスをRibbon FETで構成する、と発表した(Photo12)。
ここで言うRibbon FETであるが、要するにナノシート(Photo13)である。Intelはこれを2024年前半に量産開始する、と明言した格好になる。
Samsungに比べれば2年遅れという形になるが、Intelの場合はそれ以前にEUVプロセスで量産を実現できる事をまず実証する必要がある。現在IntelはIntel 7(旧称Intel 10nm Enhanced SuperFin)を利用して第12世代Coreプロセッサ向けにAlder Lakeを出荷中で、これに引き続きXeon向けのSapphire Rapids(第4世代Xeon Scalableになる予定だが、これが依然として遅延中で、このままだと年内の出荷も怪しそうな情勢になってきた)と、Alder Lakeの次にあたるRaptor Lake(今年中に出荷予定で、第13世代Coreプロセッサになるはず)の出荷準備を整えているが、2013年前半にはEUVを利用する初のプロセスであるIntel 4(これは原則、Intel製品のみ)を量産開始とし、2013年後半にはこれの改良版であるIntel 3(こちらはIntel製品に加え、Intel Foundries Servicesで顧客向けプロセスとしても提供予定)を量産開始とする計画になっていた。ただ今年2月に開催されたInvestor Meeting 2022において、Intel 4は今年後半の量産開始に前倒しを発表しており、最初の製品であるMeteor Lake(第14世代Coreプロセッサになる予定)は今年中の量産開始、来年早々に出荷予定となっている(Photo14)。まずはこのMeteor Lakeの出来栄えがどうか?(あるいはちゃんとまとまった数を出荷できるか?)を確認しない事には、Intel 20Aの出来栄えを議論するのは難しい(GAAはほぼEUV露光が前提になっているので、EUVを利用しての量産がきちんと行えないとIntel 20A以前にIntel 3の量産も危うい事になる。そのあたりもあってか、Intelは現時点でまだIntel 20Aの詳細を一切公開していない。とは言え、将来はGAAに向かうという筋道は明確に示した事になる。
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大原雄介のエレ・組み込みプレイバック
これを読めばここ1カ月のエレクトロニクス/組み込み業界の動きが分かる連載。注目すべき市場動向と注目すべき製品を取り上げます。
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