大原雄介のエレ・組み込みプレイバック

Samsungが3nm世代で採用した「GAA」とは（2/5 ページ）

公開 2022年07月15日 09時01分

[TechFactory]

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　さて、GAAはFinFETの次の構造ということで研究そのものは以前から行われていたが、実装はかなり遅く、トランジスタレベルの発表はともかく集積回路の発表は2017年にimecとApplied Microによる共同研究が初めてではなかったかと思う。その2017年に、Samsungは早くもGAAを自身のロードマップに示している（Photo01）。

Photo01　これは2017年のArm TechConでの講演資料。2020年に4nm世代としてGAAを導入する事を発表している

　この当時のSamsungのロードマップでは、2015年からのFinFET導入に加え、2018年に7nm世代にEUV露光を導入。2020年にGAAに切り替え、というものだった。翌2018年に同社はIEDMで、MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET）という名称で、このGAAを利用したトランジスタの特性などを発表している（Photo02）。

Photo02　論文より抜粋。上が従来のFinFET、下がGAAというか、MBCFETである

　もっともSamsungにしても、GAAの構築は一筋縄ではいかなかったようだ。2017年当時は4nm世代で導入するとしていたGAAであるが、2018年のSamsung Foundry Forumではこれを3nm世代に後送りする（Photo03）事をアナウンスしている。

Photo03　4nmは5nmの延長で行くことに決断した訳だ

　この時の公式な説明は、「4nmはGAAを利用しなくても構築できると判ったので、3nmに移行した」というものだったが、要するにGAAの量産にはまだ時間が掛かるので、4nm世代は5nmの派生型として構築する事を決めた、という形だ。2019年には、2021年をターゲットに最初のプロセスである3GAEを展開すると説明されていた（Photo04）が、実際には2021年中には展開されなかった。