大原雄介のエレ・組み込みプレイバック

GLOBALFOUNDRIESの7nmプロセス無期限延期と先端プロセス技術をめぐる競争の行方（2/2 ページ）

公開 2018年10月11日 09時00分

更新 2019年01月31日 14時36分

著者

大原雄介

[TechFactory]

印刷する連載新着通知を受け取る

FD-SOIは継続しつつ、14nm／12nm FinFETでもTSMCと競合

　MCU向けで利用される組み込みフラッシュの搭載が可能なプロセスは、これまで180～90nmあたりのプロセスが主流であったが、2014年にTSMCが55nm（55ULP）を、2016年にUMCが40nm（40nm eCT）をそれぞれ発表、2017年にはTSMCが28nmプロセスでのFlash Memoryの利用を可能にしており、これを利用した40nmと28nmのFlash搭載MCUが2018年3月に発表されたという具合に、先端プロセスほどではないにせよこちらも急速に微細化を進めており、実はこの28nm世代はかなり長期間にわたって使われると予測されている。

　ただこの28nmは競合も多く、TSMC、Samsung、GLOBALFOUNDRIESに加えて、UMCやSMICなどもやはり28nmでの組み込みフラッシュが実装できるプロセスを提供予定とされるので、競争はかなり激しい。それもあってTSMCは16nm／12nmでも組み込みFlashを可能にする方向で開発を進めていた。

　一方、SamsungやGLOBALFOUNDRIESはこの世代の本命をFD-SOIと位置付けた上で、FD-SOIで利用できるMRAMの環境整備にまい進している、という話は先月説明した通りだが、今回のGLOBALFOUNDRIESの動きは、FD-SOIは続けつつも、14nm／12nm FinFETでもTSMCと競合する考えを明確にしたものだといえる。2020年ごろには28nmプロセスをMCUの製造に利用するのが一般的になってくると思われるが、今回の動きはその先の2023年ごろを視野に入れたものと考えればよいだろう。

　ちなみにSamsungは今のところこれに追従する動きはない。同社はむしろ「EUV（Extreme Ultra-Violet：極端紫外線）」の早期実用と7nm未満への移行を急いでおり（図2）、組み込みメモリはeMRAMを利用可能な18FDS（18nm FD-SOI）で提供という姿勢を崩していない。

図2　2018年9月に行われたSamsung Foundry Forumのプレス向け資料より

　他に、この12～16nmのプロセスをそもそもきちんと量産できているのはIntelのみだが、Intelは組み込みメモリのソリューションを持っていないという問題があり、おまけに今は10nmプロセスの立ち上げに全力を注いでいる状態なので、こちらには手が回らない。UMCは14nmの製造を始めたものの、まだ生産量は極めて少ない状況であり、今のところ組み込みメモリのソリューションを出せる状況にない。その意味ではGLOBALFOUNDRIESの今回の決断は、競合が事実上TSMCのみという、相対的に争いの少ない（そして確実にシェアが見込める）ところに経営資源を集中するという、ある意味分かりやすい決断といえるだろう。

　この結果として、現在はそれこそ90nmや55nmあたりが事実上最先端プロセスとなっているIoT（Internet of Things）向けのSoCは、2020年ごろには28nmに、2023～2025年あたりは12～16nmに製造が移行することになると思われる。ちなみにIoT向けよりも前に、まず車載用でこうした先端プロセスが使われる（理由はより大量のプログラムコードを実行する必要があるから）形で、数年たってコスト的にこなれてきたらIoT向けなどに使われるという流れになるだろう。ここまで微細化が進むとなると、現在とそうコストが変わらないまま、利用できるコアやメモリの量が現在の数倍になるという意味であり、それだけの処理性能やメモリ容量が、2020～2023年のIoTデバイスには求められるようになる、という意味でもある。このあたりの動向が、GLOBALFOUNDRIESの方針転換で多少明確化されたというのも皮肉な感じがする。

この連載新着通知をメールで受け取る