富士通セミコンダクター

EEPROMの約1000万倍の書き換え回数を実現する4MビットFRAM「MB85RS4MT」

富士通セミコンダクターは、シリアルインタフェースのFRAMファミリーで最大メモリ容量である4Mビット品「MB85RS4MT」を開発し、2018年9月から量産品の提供を開始する。

公開 2018年09月13日 09時00分

著者

八木沢篤

[TechFactory]

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「MB85RS4MT」のパッケージ［8ピンSOP］（出典：富士通セミコンダクター）

　富士通セミコンダクターは2018年9月4日、シリアルインタフェースのFRAM（Ferroelectric Random Access Memory）ファミリーで最大メモリ容量である4Mビット品「MB85RS4MT」を開発し、同月から量産品の提供を開始すると発表した。

　エッジコンピューティングの拡大、センサー情報のデータ量の増大といった環境変化を背景に、既存のEEPROMを使用しているユーザーから「書き換え回数を増やしたい」「書き換え時間を短くしたい」「メモリ容量を増やしたい」といった要望が寄せられており、それに応えるかたちでMB85RS4MTが開発された。

書き換え回数が設計のボトルネックになることはない

書き換え回数の比較（出典：富士通セミコンダクター）

　同製品の書き換え保証回数は、同じ不揮発性メモリのEEPROMと比較すると約1000万倍の10兆回のため、書き換え回数が設計のボトルネックになることはないという。

　データ書き込み動作では、EEPROMやフラッシュメモリは書込み時間に加えてセクターの消去時間が必要になるが、FRAMは消去をせずに上書きのみとなるため、高速な書き込みを実現する。これにより、データ書き込み中に瞬断などの電圧低下が発生した場合でも、FRAMは書き込み中のデータを保護することが可能だ。

書き込み時間の比較［電圧低下時］（出典：富士通セミコンダクター）

「MB85RS4MT」の用途例（出典：富士通セミコンダクター）

　さらに、同製品の動作電圧は1.8～3.6Vとワイドレンジであるため、製品に内蔵されているメモリ周辺の電子部品が1.8V、または3.6V動作品のどちらでも対応できる。動作電流は、1MHz動作時が最大250μA、スタンバイ電流は最大50μAと非常に少なく、低消費電力化を実現する。

　パッケージは、既存のEEPROMと置き換え可能な8ピンSOPのため、製品設計を大幅に変更することなく同製品に切り替えできるという。主な用途としては、ドライブレコーダー／運行レコーダー、ロボット、工作機械、計測装置、メーター、民生機器など、リアルタイムでの頻繁なデータログが必要とされるアプリケーションに最適だとする。


製品名	MB85RS4MT
容量（メモリ構成）	4Mビット（512K×8ビット）
インタフェース	SPI
動作周波数	最大40MHz
動作電源電圧	1.8～3.6V
動作温度範囲	－40℃～＋85℃
書き込み／読み出し保証回数	10兆回
パッケージ	8ピンSOP
表1　主な仕様