TSMC、Samsung、Intelが明らかにした次世代半導体プロセスの展望

図3　Metal Gate構築のプロセスの中で、最上段のNanoSheetにダメージを与える可能性、NanoSheet積層の際のワークフローの難しさ、およびNanoSheetの両端と中央で特性が違ってくる事の3つが取り上げられた