NXP Airfast 3 RFパワートランジスタ

マクロ基地局向け高出力LDMOSパワートランジスタ

NXPセミコンダクターズは、1805M～2690MHzで動作する携帯電話のマクロ基地局向けのLDMOSトランジスタ「Airfast 3 RFパワートランジスタ」を発表した。最大53％の効率を達成している。

公開 2016年10月31日 12時00分

著者

提供：EDN Japan編集部

[TechFactory]

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最大53％の効率

「Airfast 3 RFパワートランジスタ」

　NXPセミコンダクターズは2016年10月、1805M～2690MHzで動作する、携帯電話のマクロ基地局向けのLDMOSトランジスタ「Airfast 3 RFパワートランジスタ」4製品を発表した。従来製品の「Airfast 2」と比較し、効率が最大4％、熱特性が20％向上したほか、スペースを最大30％削減し、最大90MHzのフル信号帯域を提供する。

　第3世代のAirfast製品として開発され、周波数範囲1805M～1880MHzの「A3T18H450W23S」「A3T18H360W23S」、2110M～2200MHzの「A3T21H450W23S」、2496M～2690MHzの「A3T26H200W24S」の4製品を展開。平均RF出力／ゲイン／効率はそれぞれ、A3T18H450W23Sが89W／17.2dB／51％、A3T18H360W23Sが56W／17.5dB／53％、A3T21H450W23Sが89W／15.5dB／49.5％、A3T26H200W24Sが37W／16.3dB／50％となっている。

　現在サンプルを供給中で、量産開始は2016年第4四半期の予定。パッケージはACP-1230S-4L2S（A3T26H200W2は、NI-880XS-4L2L）で提供される。また、各周波数向けのレファレンス回路も提供しているという。