NXP Semiconductors A2G22S251-01Sなど

携帯電話基地局向け48V窒化ガリウム（GaN）RFパワートランジスタ

NXPセミコンダクターズは、携帯電話基地局で使用されるドハティパワーアンプ向けに、48V窒化ガリウム（GaN）RFパワートランジスタを発表した。

公開 2016年07月06日 15時00分

更新 2016年07月20日 12時40分

著者

提供：EDN Japan編集部

[TechFactory]

印刷する連載新着通知を受け取る

VSWR10：1超に対応

GaN RFパワートランジスタ「A2G22S251-01S」NI-400S-2Sパッケージのイメージ

　NXPセミコンダクターズは2016年6月、携帯電話基地局で使用されるドハティパワーアンプ向けに、48V窒化ガリウム（GaN）RFパワートランジスタを発表した。

　周波数帯域1805MHz～2170MHzの「A2G22S251-01S」、同2496MHz～2690MHzの「A2G26H281-04S」、同3400MHz～3600MHzの「A2G35S160-01S／A2G35S200-01S」の4種で、全体で1805MHz～3600MHzの携帯電話周波数をカバーする。

　今回発表されたGaNトランジスタは、堅牢性が向上し、いずれも10：1超のインピーダンスミスマッチ（VSWR）に対応できる高い定格性能を備えている。A2G22S251-01Sは、365MHzの帯域幅をカバーする広帯域対称型ドハティ2デバイスソリューションで、対称型ドハティの平均RF出力は71W（ピーク出力450W）。ゲインは16.5dB、ドレイン効率は、8dBバックオフ設定の際の並列マルチバンド動作時で46％となっている。

　A2G26H281-04Sは、平均RF出力50W（ピーク出力288W）、ゲイン15.3dB、ドレイン効率57％。A2G35S160-01S／A2G35S200-01Sは、平均RF出力53W（ピーク出力331W）、ゲイン13.4dB、ドレイン効率46％となっている。

　パッケージは、A2G22S251-01S／A2G35S160-01S／A2G35S200-01SがNI-400S-2Sエアキャビティセラミックパッケージ、A2G26H281-04SがNI-780S-4Lエアキャビティセラミックパッケージを採用。いずれもサンプル供給中で、量産も開始している。