ビシェイ・インターテクノロジー SiHxxxN65EF

ファーストボディーダイオード内蔵の650V NチャネルパワーMOSFET

ビシェイ・インターテクノロジーは、産業、テレコム、再生可能エネルギー向けに、ファーストボディーダイオード内蔵の650V NチャネルパワーMOSFETの新製品「SiHX21N65EF」「SiHX28N65EF」「SiHG33N65EF」を発表した。

公開 2016年05月23日 15時00分

更新 2018年07月13日 18時29分

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提供：EDN Japan編集部

[TechFactory]

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　ビシェイ・インターテクノロジーは2016年5月、産業、テレコム、再生可能エネルギー向けに、ファーストボディーダイオード内蔵の650V NチャネルパワーMOSFETの新製品「SiHX21N65EF」「SiHX28N65EF」「SiHG33N65EF」を発表した。

　今回発売された3製品は、Super Junction技術で設計され、標準のMOSFETに比べて10倍低い逆回復電荷（Qrr）を提供できる。フルのブレークダウン電圧をより早くブロックすることで、ゼロ電圧スイッチング（ZVS）／ソフトスイッチングトポロジーの用途で、シュートスルーや過熱ストレスを防止できるという。

650V NチャネルパワーMOSFET「SiHxxxN65EF」

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低オン抵抗と低ゲートチャージ

　SiHX21N65EFは5種、SiHX28N65EF／SiHG33N65EFは2種類のパッケージで提供され、10V時のオン抵抗はそれぞれ157mΩ／102mΩ／95mΩ。ゲート電荷量（Qg）は、68nC／97nC／114nCとなっている。導通損失とスイッチング損失を低減できるため、太陽光インバーターやATX／シルバーボックスPC SMPS、溶溶接、UPS、バッテリー充電器、電気自動車の充電所などのスイッチモード電源アプリケーションに適している。

　サンプルと製品は既に提供可能で、量産時の標準納期は16～18週間としている。

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