ニュース
SiCウェーハの高速生産と素材ロス減を実現する新しいインゴットスライス手法:ディスコ KABRA
ディスコは、従来にないレーザー加工によるインゴットスライス手法「KABRA(Key Amorphous-Black Repetitive Absorption)」プロセスを開発した。
ディスコは2016年8月8日、従来にないレーザー加工によるインゴットスライス手法「KABRA(Key Amorphous-Black Repetitive Absorption)」プロセスを開発したことを発表した。同プロセスを導入することで、次世代パワーデバイス素材として注目される炭化ケイ素(SiC)ウェーハ生産の高速化および取り枚数増を実現し、生産性を大幅に向上させることが可能になるという。
高速生産と素材ロスの大幅低減を実現する新たな加工手法
Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
関連記事
- 半導体フォトマスクの世界市場規模、2017年に34億ドル
SEMIは、2015年の半導体フォトマスクの世界市場が33億ドルとなり、2017年には34億ドルに達することが予測されると発表した。 - 2015年の世界半導体材料販売額は434億ドルで、前年比マイナス成長
SEMIは、2015年の世界半導体材料販売額を発表した。 - 2015年、半導体製造装置の世界総販売額は前年比3%減の365億3000万ドルに
SEMIは、2015年における半導体製造装置の世界総販売額が対前年比3%減の365億3000万ドルであったことを発表した。 - パワー半導体市場の将来予測、2025年は300億ドル超
2015年のパワー半導体世界市場規模は、前年比7.0%減の148億2000万ドルとマイナス成長となる見込み――。矢野経済研究所はパワー半導体の世界市場に関する調査結果を発表した。