NXPセミコンダクターズ トランシーバー

CMOSベースの77GHzミリ波レーダーIC

NXPセミコンダクターズは、自動車の先進運転支援システム（ADAS）や自動運転技術のセンサーとして用いられている77GHz帯ミリ波レーダー向けに、シリコンCMOSプロセスで製造したトランシーバーを開発した。

　NXPセミコンダクターズ（以下、NXP）は2016年1月12日、自動車の先進運転支援システム（ADAS）や自動運転技術のセンサーとして用いられている77GHz帯ミリ波レーダー向けに、シリコンCMOSプロセスで製造したトランシーバーを開発したと発表した。1チップに送信回路（トランスミッタ）と受信回路（レシーバー）を集積するとともに、パッケージの外形寸法が7.5mm角と極めて小さいことを特徴とする。

　この77GHz帯ミリ波レーダーのトランシーバーは、実用レベルのプロトタイプがNXPの主要顧客に提供されている。また、Google（グーグル）の自動運転車プロジェクトのために、同トランシーバーのプロトタイプを用いた実地試験も実施されているという。

　77GHz帯ミリ波レーダーは、主に前方に存在する車両を検知するADASのセンサーとして用いられている。かつて、77GHz帯ミリ波レーダーのトランシーバーは、GaAsベースの個別半導体で構成されており、ミリ波レーダーユニットは大型で高価だった。その後、より小型で安価なトランシーバーとしてSiGe（シリコンゲルマニウム）プロセスの適用が提案がされた。これにより77GHz帯ミリ波レーダーの価格低下と採用車種の拡大が進展している。現在、SiGeプロセスのトランシーバーICは、Infineon Technologies（インフィニオン）と、2015年12月にNXPとの合併を完了したFreescale Semiconductor（フリースケール）が提供している。

　今回NXPが発表したシリコンCMOSプロセスを用いたトランシーバーは、77GHz帯ミリ波レーダーのさらなる小型化と低価格化を実現し得るものだ。現在は、フロントグリル部に搭載しているミリ波レーダーユニットを小型化して、車両の側方を検知するセンサーとして利用できるようになり、ミリ波レーダーによる車両全周囲の検知が可能になる。消費電力も、従来のSiGeプロセスのトランシーバーと比べて40％低減できるとしている。

　NXPは、フリースケールとの合併を発表する以前から、車載ミリ波レーダー用デバイスを開発していることをアナウンスしていた（関連記事：GMの「キャデラック」に採用されたNXPの車車間通信用IC、決め手はセキュリティ）。フリースケールも将来的にシリコンCMOSプロセスへの移行を計画していたが、今回発表した技術は合併前のNXPの取り組みの結果となる。ただし、このトランシーバーを用いたADASを制御するマイコンは、SiGeプロセスのトランシーバーとの組み合わせで実績を持つフリースケールの製品を用いている。

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