歌う電車と次世代パワー半導体：TechFactory通信 編集後記

ファソラシドレミファソー。

[渡邊宏，TechFactory]

　素材にシリコンではなくSiC（炭化ケイ素、シリコンカーバイト）、GaN（窒化ガリウム、ガリウムナイトライド）を用いた、いわゆる「次世代パワー半導体」の市場予測資料に目を通していました。

　パワー半導体はCPUやメモリ、ICといった「小さな電力」で動作する半導体ではなく交流／直流の変化や電圧の降圧など「大きな電力」を扱う半導体です。半導体部品としては、直流での電気を交流に変換する「インバータ」、交流を直流に変換する「コンバータ」、交流の周期を変える「周波数変換」、そして直流の電圧を変換する「レギュレータ」いずれかの働きを持ち、マイコンやモーターに電力を供給します。

この記事は、2017年3月27日発行の「モノづくり総合版 TechFactory通信」に掲載されたTechFactory担当者による編集後記の転載です。

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　大きな電力を扱うことから、より電気を通しやすく、電力損失が発生しにくい新しい材料の研究開発が進んでいます。SiCやGaNの他にも酸化ガリウムやダイヤモンド系素材なども検討されており、酸化ガリウムやダイヤモンドについては次々世代パワー半導体的な扱いをされたりします。

　SiCとGaNについては既に市場投入が始まっていることから、市場予測資料ではSiCが先行するものの、双方とも順調な立ち上がりを見せるとされていました。大きな電力を扱えるパワー半導体、特にSiCパワー半導体は電装化の進む自動車での需要増が見込まれ、急速充電スタンドやオンボードチャージャー（車載充電器）での需要が大きいとみられています。

　と資料に目を通しながら、身近に存在するSiCパワー半導体の導入事例を思い出しました。電車です。東京メトロ銀座線1000系車両や阪急電鉄8000系車両、JR東日本で利用されているE235系にはSiCパワー半導体が搭載されているのです。

（写真はイメージです）