最小1.0mΩオン抵抗を実現したハイサイドスイッチ:インフィニオン Power PROFET
インフィニオンテクノロジーズは、超低オン抵抗のハイサイドスイッチ「Power PROFET」ファミリーを発表した。リレーとヒューズを40Aまでの範囲で置き換えることができる。
インフィニオンテクノロジーズは2016年11月、超低オン抵抗のハイサイドスイッチ「Power PROFET」ファミリーを発表した。リレーボックスやジャンクションボックスのリレーとヒューズを、40Aまでの範囲で置き換えることができる。
Power PROFETは、100万以上のスイッチングサイクルを備え、AEC-Q100に基づくGrade Aを達成している。単独のデバイスでリレー、ヒューズ、リレードライバー、ケーブル、コネクターなど多くの既存システムの部品を置き換えることができるため、自動車内の設置位置の自由度が拡大し、次世代の電力分配網が可能になるという。
20〜40Aまでの電流を制御するピン互換性を備えた複数のスイッチで構成され、1.0mΩ、1.5mΩ、2.0mΩ、2.5mΩ品をそろえた。1.0mΩの「BTS50010-TAD」と1.5mΩの「BTS50015-1TAD」は量産中で、その他は2017年に量産開始を予定する。
オン抵抗は最小1.0mΩで、25〜40Aの大電流負荷の駆動に加え、電子制御装置や補助電源出力、PTCヒーター、リアウインドー用ヒーターの電源出力に対応する。短絡保護や過熱保護などの機能も搭載した。
電力損失は最大7倍削減しており、30Aが通過する際の損失は2W未満だ。また、内蔵の電流検出およびパルス幅変調機能を通じて、パワーマネジメントに対応する。シングルパルスで3000mJ、繰り返しパルスでは550mJまでの定格対応電力を備え、さまざまな用途でフリーホイール経路が不要となり、コストを削減できるとした。
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