DC-DCコンバーターにおけるスイッチノードリンギングの発生メカニズムと対策：エレクトロニクス技術の今をまとめ読み

「EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版」の2016年5月号をご紹介。特集記事では、DC-DCコンバーターにおけるスイッチノードリンギングやスパイクの発生メカニズムとその対策について解説。その他、「iPhone SE」の分解記事などを掲載しています。

[TechFactory]

　エレクトロニクス技術の最新動向をお届けする「EE Times Japan」と、電子設計の技術情報を発信する「EDN Japan」の両メディアが隔月ペースで発行する『EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版』の“2016年5月号”をご紹介します！

スイッチノードリンギングの原因と対策

　今回の特集記事（Cover Story）では、広い入力電圧範囲の高速DC-DCコンバーターで発生する「スイッチノードリンギングの原因と対策」について取り上げています。

　広入力電圧範囲DC-DCコンバーター用MOSFETの高速ターンオン／ターンオフは、スイッチノードのリンギングを発生させ、さまざまな障害の原因となっていますが、その発生メカニズムをご存じでしょうか？ 本稿ではスイッチノードリンギングおよびスパイクの発生メカニズムの解説と併せて、これらの対策方法についても詳しく紹介しています。

　その他、アップルの最新スマートフォン「iPhone SE」の分解記事や、ルネサス エレクトロニクス 欧州法人の車載部門責任者へのインタビュー記事などが掲載されています。

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