差動プローブでSiC／GaNデバイスの正確な波形測定が可能に：高速高電圧で高いCMRR特性を持ちながら導入しやすさを両立

半導体として優れた特性を持ち、採用拡大が進んでいる炭化ケイ素（SiC）／窒化ガリウム（GaN）パワーデバイス。横河計測は、次世代パワーデバイスの高速な電気信号を正確に測定できる高電圧差動プローブを開発した。

[PR／TechFactory]

　モーターやインバーター、太陽光発電システムなどの開発者にとって、炭化ケイ素（SiC）／窒化ガリウム（GaN）などを用いた次世代パワーデバイスは魅力的な選択肢だろう。半導体としての特性に優れるSiC／GaNパワーデバイスを用いることで、電力変換システムの小型化や高効率化、高耐圧化などを実現できる。

　一方で、スイッチング損失などを正確に把握する点では課題もある。SiC／GaNパワーデバイスはスイッチングの立ち上がり・立ち下がり速度が速いなどの理由から、オシロスコープで電圧や電流などを測定する際、既存の差動プローブでは正確な波形を得ることが難しい。シリコンデバイスとは異なる特性を持つ次世代パワーデバイスの波形測定用には、光絶縁プローブも販売されている。光絶縁プローブはCMRR（同相信号除去比）特性が高く、電気信号を正確に測定できるものの、価格が非常に高い。

　こうした中で、横河計測が提供しているのが、次世代パワーデバイスの測定に適した新しい高速高電圧差動プローブだ。低価格だが次世代パワーデバイスの波形測定が難しかった差動プローブと、高性能だが高価格の光絶縁プローブの“間”を埋める、新しい位置付けの差動プローブとなる。

提供：横河計測株式会社
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