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» 2016年07月06日 15時00分 UPDATE

NXP Semiconductors A2G22S251-01Sなど:携帯電話基地局向け48V窒化ガリウム(GaN)RFパワートランジスタ

NXPセミコンダクターズは、携帯電話基地局で使用されるドハティパワーアンプ向けに、48V窒化ガリウム(GaN)RFパワートランジスタを発表した。

[提供:EDN Japan編集部,TechFactory]

VSWR10:1超に対応

GaN RFパワートランジスタ「A2G22S251-01S」NI-400S-2Sパッケージのイメージ GaN RFパワートランジスタ「A2G22S251-01S」NI-400S-2Sパッケージのイメージ

 NXPセミコンダクターズは2016年6月、携帯電話基地局で使用されるドハティパワーアンプ向けに、48V窒化ガリウム(GaN)RFパワートランジスタを発表した。

 周波数帯域1805MHz〜2170MHzの「A2G22S251-01S」、同2496MHz〜2690MHzの「A2G26H281-04S」、同3400MHz〜3600MHzの「A2G35S160-01S/A2G35S200-01S」の4種で、全体で1805MHz〜3600MHzの携帯電話周波数をカバーする。

 今回発表されたGaNトランジスタは、堅牢性が向上し、いずれも10:1超のインピーダンスミスマッチ(VSWR)に対応できる高い定格性能を備えている。A2G22S251-01Sは、365MHzの帯域幅をカバーする広帯域対称型ドハティ2デバイスソリューションで、対称型ドハティの平均RF出力は71W(ピーク出力450W)。ゲインは16.5dB、ドレイン効率は、8dBバックオフ設定の際の並列マルチバンド動作時で46%となっている。

 A2G26H281-04Sは、平均RF出力50W(ピーク出力288W)、ゲイン15.3dB、ドレイン効率57%。A2G35S160-01S/A2G35S200-01Sは、平均RF出力53W(ピーク出力331W)、ゲイン13.4dB、ドレイン効率46%となっている。

 パッケージは、A2G22S251-01S/A2G35S160-01S/A2G35S200-01SがNI-400S-2Sエアキャビティセラミックパッケージ、A2G26H281-04SがNI-780S-4Lエアキャビティセラミックパッケージを採用。いずれもサンプル供給中で、量産も開始している。


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