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» 2016年05月23日 15時00分 UPDATE

ビシェイ・インターテクノロジー SiHxxxN65EF:ファーストボディーダイオード内蔵の650V NチャネルパワーMOSFET

ビシェイ・インターテクノロジーは、産業、テレコム、再生可能エネルギー向けに、ファーストボディーダイオード内蔵の650V NチャネルパワーMOSFETの新製品「SiHX21N65EF」「SiHX28N65EF」「SiHG33N65EF」を発表した。

[提供:EDN Japan編集部,TechFactory]

 ビシェイ・インターテクノロジーは2016年5月、産業、テレコム、再生可能エネルギー向けに、ファーストボディーダイオード内蔵の650V NチャネルパワーMOSFETの新製品「SiHX21N65EF」「SiHX28N65EF」「SiHG33N65EF」を発表した。

 今回発売された3製品は、Super Junction技術で設計され、標準のMOSFETに比べて10倍低い逆回復電荷(Qrr)を提供できる。フルのブレークダウン電圧をより早くブロックすることで、ゼロ電圧スイッチング(ZVS)/ソフトスイッチングトポロジーの用途で、シュートスルーや過熱ストレスを防止できるという。

650V NチャネルパワーMOSFET「SiHxxxN65EF」 650V NチャネルパワーMOSFET「SiHxxxN65EF」

低オン抵抗と低ゲートチャージ

 SiHX21N65EFは5種、SiHX28N65EF/SiHG33N65EFは2種類のパッケージで提供され、10V時のオン抵抗はそれぞれ157mΩ/102mΩ/95mΩ。ゲート電荷量(Qg)は、68nC/97nC/114nCとなっている。導通損失とスイッチング損失を低減できるため、太陽光インバーターやATX/シルバーボックスPC SMPS、溶溶接、UPS、バッテリー充電器、電気自動車の充電所などのスイッチモード電源アプリケーションに適している。

 サンプルと製品は既に提供可能で、量産時の標準納期は16〜18週間としている。

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