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» 2016年03月14日 12時00分 UPDATE

ルネサス エレクトロニクス G8Hシリーズ:電力変換ロスを大幅削減する第8世代IGBT、太陽光発電やUPSシステム向けに

ルネサス エレクトロニクスは、太陽光発電のパワーコンディショナやUPSシステムのインバータ用途向けパワー半導体として、電力変換損失を極小化し、システムの電力効率を向上する第8世代IGBT「G8Hシリーズ」を発表した。

[八木沢篤,TechFactory]

 太陽光発電システムでは、太陽光によって集められた直流(DC)の電流を交流(AC)に変換するインバータ回路を通過する際、電力損失が発生してしまう。特に、パワーデバイスの電力損失が大半を占めており、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)の電力損失を少なくすることがユーザーシステムの発電性能に直結する。

 また、サーバルームやデータセンターなどで使用されるUPS(無停電電源)システムでは、停電が発生していないかをチェックするため、電力は常に電力変換回路を経由しなければならず、稼働しているだけで定常的に電力損失が起きている。この電力損失をいかに低く抑えことができるかも、IGBTの性能が大きく影響する。


 こうしたニーズに対し、ルネサス エレクトロニクスは2016年3月10日、太陽光発電のパワーコンディショナやUPSシステムのインバータ用途向けパワー半導体として、電力変換損失を極小化し、システムの電力効率を向上する第8世代IGBT「G8Hシリーズ」を新たに製品展開すると発表した。

前世代IGBT比で性能指数が最大30%改善

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